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基于变压力的CCOS光学研抛技术
叶枫菲; 余德平; 万勇建; 刘海涛; 赵洪深
Source Publication光电工程
Volume45Issue:4Pages:50-57
2018
Language中文
ISSN1003-501X
DOI1003-501X(2018)45:4<170642:JYBYLD>2.0.TX;2-2
Indexed ByCSCD
CSCD IDCSCD:6231300
SubtypeJ
Abstract在非球面及自由曲面加工中,应用最为成熟的是计算机控制光学表面成型(CCOS)技术。现有CCOS技术普遍采用恒压力研抛方法,加工过程中研抛压力保持恒压,通过控制驻留时间实现所需的去除量。本文研究了基于变压力的CCOS研抛方法,增加了调控维度,通过同时控制研抛压力和驻留时间实现所需的去除量。首先,对该方法建立了加工控制的数学模型。然后,测量分析了磨头输出力的稳定性和响应速度,去除函数的稳定性。最终,在K9材料平面镜上开展了正弦压力抛光的材料去除实验。结果表明,实测与理想正弦研抛压力周期一致,力误差标准差约为0.35 ;N,对去除面形PV和RMS的影响均不到9%;实际与仿真加工的面形轮廓周期一致,加工区域的面形误差在17%以内。本文实现了变压力研抛,验证了基于变压力的CCOS研抛方法在光学加工中的有效性。
Keyword光学加工 CCOS 变压力 研抛
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.ioe.ac.cn/handle/181551/9177
Collection先光中心
Affiliation1.中国科学院光电技术研究所
2.四川大学制造科学与工程学院
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GB/T 7714
叶枫菲,余德平,万勇建,等. 基于变压力的CCOS光学研抛技术[J]. 光电工程,2018,45(4):50-57.
APA 叶枫菲,余德平,万勇建,刘海涛,&赵洪深.(2018).基于变压力的CCOS光学研抛技术.光电工程,45(4),50-57.
MLA 叶枫菲,et al."基于变压力的CCOS光学研抛技术".光电工程 45.4(2018):50-57.
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