| 射频功率对类金刚石薄膜性能的影响 | |
| 陈林林; 张殷华; 黄伟 | |
| Volume | 1 |
| 2012 | |
| Language | 中文 |
| Subtype | 会议论文 |
| Abstract | 利用射频等离子体化学气相沉积技术在硅基底上沉积类金刚石薄膜,利用红外透射光谱、椭圆偏振仪、Raman光谱等测试手段,研究在不同的射频功率条件下制备的类金刚石薄膜性质的变化。实验表明:随着功率的增加,薄膜中的SP3含量逐渐减少,薄膜的折射率在660-860W逐渐降低,在860-910W范围内逐渐增加,在910-960W范围内逐渐减小。薄膜的硬度随着功率的增加先增加后减小。最佳沉积功率为860W。 |
| Keyword | 射频等离子体化学气相沉积 类金刚石薄膜 射频功率 Raman光谱 |
| Conference Name | 第十届全国光电技术学术交流会论文集 |
| Conference Date | 2012 |
| Document Type | 会议论文 |
| Identifier | http://ir.ioe.ac.cn/handle/181551/7852 |
| Collection | 薄膜光学技术研究室（十一室） |
| Corresponding Author | 陈林林 |
| Affiliation | 1.中国科学院光电技术研究所 2.中国科学院研究生院 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 陈林林,张殷华,黄伟. 射频功率对类金刚石薄膜性能的影响[C],2012. |
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| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| 2012-1165.pdf（603KB） | 会议论文 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | Application Full Text | ||
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