IOE OpenIR  > 微电子装备总体研究室(四室)
基于干涉的同轴检焦新方法
李光; 朱江平; 陈铭勇; 赵立新; 胡松; 段宣明
Source Publication中国激光
Issue12Pages:186-190
2013
Language中文
Subtype期刊论文
Abstract针对现有离轴检焦技术在浸没式光刻方法中的局限性,提出了一种新的基于干涉的同轴检焦方法。测量光通过光刻物镜入射到硅片表面,在硅片表面反射后再次经过光刻物镜后,测量光和参考光产生干涉条纹,并被CCD接收,从而将硅片的离焦量信息调制在干涉条纹的相位信息中。通过对干涉条纹的相位提取,即可获得硅片的离焦量。仿真结果表明,该方法可以达到λ/25(λ=632.8nm)的检焦精度,并具有良好的抗噪性,满足浸没式光刻高精度、实时、非接触焦面测量的要求。
Keyword测量 同轴检焦 干涉 傅里叶变换 离焦量
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.ioe.ac.cn/handle/181551/7275
Collection微电子装备总体研究室(四室)
Corresponding Author李光
Affiliation1.中国科学院理化技术研究所
2.中国科学院光电技术研究所
3.中国科学院大学
Recommended Citation
GB/T 7714
李光,朱江平,陈铭勇,等. 基于干涉的同轴检焦新方法[J]. 中国激光,2013(12):186-190.
APA 李光,朱江平,陈铭勇,赵立新,胡松,&段宣明.(2013).基于干涉的同轴检焦新方法.中国激光(12),186-190.
MLA 李光,et al."基于干涉的同轴检焦新方法".中国激光 .12(2013):186-190.
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