IOE OpenIR  > 微电子装备总体研究室(四室)
光刻对准中掩模光栅标记成像标定方法
朱江平; 胡松; 于军胜; 唐燕; 周绍林; 何渝
Source Publication中国激光
Issue1Pages:0108002-1-5
2013
Language中文
Indexed ByEi
Subtype期刊论文
Abstract双光栅叠栅条纹对准方法具有精度高、可靠性强等特点,适用于接近接触式光刻。为了实现高精度测量,实际应用中要求掩模光栅标记与硅片光栅标记高度平行。掩模光栅标记在CCD中成像通常存在一定的倾斜角。由此,在已提出的相位斜率倾斜条纹标定方法上,提出了一种改进方法。该方法充分利用掩模光栅45°和135°两个方向的相位信息标定CCD的成像位置,以实现掩模光栅条纹的标定。对比两种方法分析表明,改进后的方法具有倾角测量范围大、抗噪性强、精度高等优点,理论极限精度优于0.001°量级。
Keyword光栅 掩模光栅 光刻对准 角度标定 叠栅条纹
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.ioe.ac.cn/handle/181551/7265
Collection微电子装备总体研究室(四室)
Corresponding Author朱江平
Affiliation1.中国科学院光电技术研究所
2.电子科技大学光电信息学院
3.中国科学院大学
4.华南理工大学电子与信息学院
Recommended Citation
GB/T 7714
朱江平,胡松,于军胜,等. 光刻对准中掩模光栅标记成像标定方法[J]. 中国激光,2013(1):0108002-1-5.
APA 朱江平,胡松,于军胜,唐燕,周绍林,&何渝.(2013).光刻对准中掩模光栅标记成像标定方法.中国激光(1),0108002-1-5.
MLA 朱江平,et al."光刻对准中掩模光栅标记成像标定方法".中国激光 .1(2013):0108002-1-5.
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