IOE OpenIR  > 微电子装备总体研究室(四室)
基于DMD的步进式无掩模数字曝光方法及装置
严伟; 胡松; 唐小萍
Source Publication电子元器件咨询
2009
Language中文
Subtype期刊论文
Abstract随着器件特征尺寸的继续缩小,所需掩模的成本呈直线上升态势,为降低掩模成本,无掩模光刻技术成为人们研究的热点。介绍了一种基于D M D的步进式无掩模数字曝光方法,并对用于实现该曝光方法装置的设计方案和具体实现进行了论述与分析。最后利用厚的光刻胶进行曝光工艺实验,实验结果表明,本装置可以实现亚微米级线条的刻蚀,较高的侧壁陡度,线条拼接结果良好,可以实现大面积数字式曝光。
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.ioe.ac.cn/handle/181551/7224
Collection微电子装备总体研究室(四室)
Corresponding Author严伟
Affiliation中国科学院光电技术研究所
Recommended Citation
GB/T 7714
严伟,胡松,唐小萍. 基于DMD的步进式无掩模数字曝光方法及装置[J]. 电子元器件咨询,2009.
APA 严伟,胡松,&唐小萍.(2009).基于DMD的步进式无掩模数字曝光方法及装置.电子元器件咨询.
MLA 严伟,et al."基于DMD的步进式无掩模数字曝光方法及装置".电子元器件咨询 (2009).
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