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双轴式研磨抛光中抛光盘相对位置对去除量的影响研究
张杨; 李秀龙; 徐清兰; 张蓉竹
Source Publication光学技术
Issue5Pages:408-412
2013
Language中文
Subtype期刊论文
Abstract为了了解在抛光过程中抛光盘位置对光学元件面形的影响,对一种双轴式平面研磨抛光运动过程进行了分析。从Preston方程出发,推导了去除函数的表达式,研究了抛光盘的摆幅及偏心距离对元件的去除量分布的影响。通过定量计算得知,在加工转速不变的情况下,增大抛光盘的摆幅,元件不同圆周上的去除量也不同。增大偏心距,元件的去除量增大,不论抛光盘相对元件的位置如何改变,回转中心的去除量总是最大。
Keyword平面研磨 去除函数 抛光盘摆幅 偏心距 去除量
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.ioe.ac.cn/handle/181551/7015
Collection先光中心
Corresponding Author张杨
Affiliation1.四川大学电子信息学院
2.中国科学院光电技术研究所
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GB/T 7714
张杨,李秀龙,徐清兰,等. 双轴式研磨抛光中抛光盘相对位置对去除量的影响研究[J]. 光学技术,2013(5):408-412.
APA 张杨,李秀龙,徐清兰,&张蓉竹.(2013).双轴式研磨抛光中抛光盘相对位置对去除量的影响研究.光学技术(5),408-412.
MLA 张杨,et al."双轴式研磨抛光中抛光盘相对位置对去除量的影响研究".光学技术 .5(2013):408-412.
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