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题名:
离子束辅助工艺中APS源偏转电压对HfO_2薄膜性能的影响
作者: 申林; 田俊林; 刘志国; 熊胜明
刊名: 强激光与粒子束
出版日期: 2009
卷号: 21, 期号:1, 页码:118-122
通讯作者: 申林
文章类型: 期刊论文
中文摘要: 基于Leybold APS1104镀膜系统,采用离子束辅助反应沉积技术,以金属Hf粒为初始镀膜材料,APS源偏转电压为50~140 V范围内,在[100]单晶硅片和紫外石英(JGS1)基板上制备了HfO2单层膜.分别利用Lambda 900分光光度计、X射线光电
收录类别: Ei
语种: 中文
内容类型: 期刊论文
URI标识: http://ir.ioe.ac.cn/handle/181551/6932
Appears in Collections:轻量化中心_期刊论文

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2009-137.pdf(775KB)期刊论文作者接受稿开放获取View 联系获取全文

作者单位: 中国科学院光电技术研究所

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申林,田俊林,刘志国,等. 离子束辅助工艺中APS源偏转电压对HfO_2薄膜性能的影响[J]. 强激光与粒子束,2009,21(1):118-122.
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