IOE OpenIR  > 微细加工光学技术国家重点实验室(开放室)
MEMS静电驱动器的场致电子发射效应研究
汪为民,王强,邱传凯等; 汪为民
Source Publication半导体光电
Volume36Issue:6Pages:925-929+935
2015
Language中文
Subtype期刊论文
Abstract为研究MEMS静电驱动器的场电子发射效应,设计并加工了排斥驱动器和平行板驱动器两种不同结构的静电驱动器,实验测试了电极间漏电流随驱动电压的变化关系,验证了其满足场发射效应的FN理论公式,从而首次观察到静电排斥驱动器的场致电子发射效应。根据测试结果计算得到了所设计的两种MEMS静电驱动器的名义发射面积和场增强因子。由于器件自身的结构设计特征,平行板驱动器相对于排斥驱动器具有更大的名义发射面积和更小的场增强因子。
KeywordMems 静电驱动器 场致电子发射 场增强因子 名义发射面积 可靠性
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.ioe.ac.cn/handle/181551/6915
Collection微细加工光学技术国家重点实验室(开放室)
Corresponding Author汪为民
Affiliation1.中国科学院光电技术研究所微细加工光学技术国家重点实验室
2.电子科技大学光电信息学院
3.中国科学院大学
Recommended Citation
GB/T 7714
汪为民,王强,邱传凯等,汪为民. MEMS静电驱动器的场致电子发射效应研究[J]. 半导体光电,2015,36(6):925-929+935.
APA 汪为民,王强,邱传凯等,&汪为民.(2015).MEMS静电驱动器的场致电子发射效应研究.半导体光电,36(6),925-929+935.
MLA 汪为民,王强,邱传凯等,et al."MEMS静电驱动器的场致电子发射效应研究".半导体光电 36.6(2015):925-929+935.
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