| 题名: | 单层二氧化铪(HfO_2)薄膜的特性研究 |
| 作者: | 艾万君; 熊胜明
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| 刊名: | 光电工程
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| 出版日期: | 2012
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| 卷号: | 39, 期号:2, 页码:134-140 | | 关键词: | 电子束蒸发
; 离子束辅助沉积
; 离子束反应溅射
; HfO2薄膜
; 薄膜特性
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| 通讯作者: | 艾万君
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| 文章类型: | 期刊论文
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| 中文摘要: | 利用电子束蒸发、离子束辅助沉积和离子束反应溅射三种制备方法制备了单层HfO2薄膜,对薄膜样品的晶体结构、光学特性、表面形貌以及吸收特性进行了研究。实验结果表明,薄膜特性与制备工艺有着密切的关系。电子束蒸发和离子束反应溅射制备的薄膜为非晶结构,而离子束辅助制备的薄膜为多晶结构。电子束蒸发制备的薄膜折射率较低,薄膜比较疏松,表面粗糙度较小,吸收相对较小,而离子束辅助以及离子束反应溅射制备的薄膜折射率较高,薄膜的结构比较致密,但表面粗糙度较大,吸收相对较大。不同制备工艺条件下薄膜的光学能隙范围为5.30～5.43eV,对应的吸收边的范围为228.4～234.0nm。 |
| 语种: | 中文
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| 内容类型: | 期刊论文
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| URI标识: | http://ir.ioe.ac.cn/handle/181551/6598
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| Appears in Collections: | 薄膜光学技术研究室（十一室）_期刊论文
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| 2012-1006.pdf（1071KB） | 期刊论文 | 作者接受稿 | 开放获取 | | View
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作者单位: | 1.中国科学院光电技术研究所
2.中国科学院研究生院
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| Recommended Citation: | |
艾万君,熊胜明. 单层二氧化铪(HfO_2)薄膜的特性研究[J]. 光电工程,2012,39(2):134-140.
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