IOE OpenIR  > 薄膜光学技术研究室(十一室)
单层二氧化铪(HfO_2)薄膜的特性研究
艾万君; 熊胜明
Source Publication光电工程
Volume39Issue:2Pages:134-140
2012
Language中文
Subtype期刊论文
Abstract利用电子束蒸发、离子束辅助沉积和离子束反应溅射三种制备方法制备了单层HfO2薄膜,对薄膜样品的晶体结构、光学特性、表面形貌以及吸收特性进行了研究。实验结果表明,薄膜特性与制备工艺有着密切的关系。电子束蒸发和离子束反应溅射制备的薄膜为非晶结构,而离子束辅助制备的薄膜为多晶结构。电子束蒸发制备的薄膜折射率较低,薄膜比较疏松,表面粗糙度较小,吸收相对较小,而离子束辅助以及离子束反应溅射制备的薄膜折射率较高,薄膜的结构比较致密,但表面粗糙度较大,吸收相对较大。不同制备工艺条件下薄膜的光学能隙范围为5.30~5.43eV,对应的吸收边的范围为228.4~234.0nm。
Keyword电子束蒸发 离子束辅助沉积 离子束反应溅射 Hfo2薄膜 薄膜特性
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.ioe.ac.cn/handle/181551/6598
Collection薄膜光学技术研究室(十一室)
Corresponding Author艾万君
Affiliation1.中国科学院光电技术研究所
2.中国科学院研究生院
Recommended Citation
GB/T 7714
艾万君,熊胜明. 单层二氧化铪(HfO_2)薄膜的特性研究[J]. 光电工程,2012,39(2):134-140.
APA 艾万君,&熊胜明.(2012).单层二氧化铪(HfO_2)薄膜的特性研究.光电工程,39(2),134-140.
MLA 艾万君,et al."单层二氧化铪(HfO_2)薄膜的特性研究".光电工程 39.2(2012):134-140.
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