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题名:
单层二氧化铪(HfO_2)薄膜的特性研究
作者: 艾万君; 熊胜明
刊名: 光电工程
出版日期: 2012
卷号: 39, 期号:2, 页码:134-140
关键词: 电子束蒸发 ; 离子束辅助沉积 ; 离子束反应溅射 ; HfO2薄膜 ; 薄膜特性
通讯作者: 艾万君
文章类型: 期刊论文
中文摘要: 利用电子束蒸发、离子束辅助沉积和离子束反应溅射三种制备方法制备了单层HfO2薄膜,对薄膜样品的晶体结构、光学特性、表面形貌以及吸收特性进行了研究。实验结果表明,薄膜特性与制备工艺有着密切的关系。电子束蒸发和离子束反应溅射制备的薄膜为非晶结构,而离子束辅助制备的薄膜为多晶结构。电子束蒸发制备的薄膜折射率较低,薄膜比较疏松,表面粗糙度较小,吸收相对较小,而离子束辅助以及离子束反应溅射制备的薄膜折射率较高,薄膜的结构比较致密,但表面粗糙度较大,吸收相对较大。不同制备工艺条件下薄膜的光学能隙范围为5.30~5.43eV,对应的吸收边的范围为228.4~234.0nm。
语种: 中文
内容类型: 期刊论文
URI标识: http://ir.ioe.ac.cn/handle/181551/6598
Appears in Collections:薄膜光学技术研究室(十一室)_期刊论文

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2012-1006.pdf(1071KB)期刊论文作者接受稿开放获取View 联系获取全文

作者单位: 1.中国科学院光电技术研究所
2.中国科学院研究生院

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艾万君,熊胜明. 单层二氧化铪(HfO_2)薄膜的特性研究[J]. 光电工程,2012,39(2):134-140.
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