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题名:
End-Hall与APS离子源辅助沉积制备的薄膜特性
作者: 艾万君; 熊胜明
刊名: 中国激光
出版日期: 2011
卷号: 38, 期号:11, 页码:1107001-1-6
通讯作者: 艾万君
文章类型: 期刊论文
中文摘要: 利用离子束辅助沉积(IAD)技术制备了单层HfO2薄膜,离子源分别为End-Hall与APS离子源。采用Lambda900分光光度计、可变角光谱椭圆偏振仪(V-VASE)、X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、ZYGO干涉仪和激光量热计测试了薄膜的透射光谱、光学常数、晶体结构、表面形貌和吸收(1064 nm)。实验结果表明,薄膜特性与辅助离子源及起始膜料有着密切的关系。End-Hall离子源辅助沉积制备的薄膜出现轻微的折射率不均匀性。两种离子源辅助沉积制备的薄膜折射率均较高,吸收损耗小,薄膜均为单斜晶相。不同离子源辅助沉积条件下,利用金属Hf为起始膜料制备的薄膜表面平整度较好,其均方根粗糙度和总积分散射均相对较小。与End-Hall离子源相比,APS离子源辅助沉积制备的薄膜吸收相对较小。
语种: 中文
内容类型: 期刊论文
URI标识: http://ir.ioe.ac.cn/handle/181551/6594
Appears in Collections:薄膜光学技术研究室(十一室)_期刊论文

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2011-11-005.pdf(3894KB)期刊论文作者接受稿开放获取View 联系获取全文

作者单位: 中国科学院光电技术研究所

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艾万君,熊胜明. End-Hall与APS离子源辅助沉积制备的薄膜特性[J]. 中国激光,2011,38(11):1107001-1-6.
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