IOE OpenIR  > 自适应光学技术研究室(八室)
针孔直径对自参考干涉波前传感器测量精度的影响
白福忠; 饶长辉
Source Publication物理学报
Issue3Pages:1632-1637
2010
Language中文
Subtype期刊论文
Abstract离子注入硅片经高温退火后晶体结构缺陷会被修复,其在可见光波段下的光学性质趋于单晶硅,常规的可见光椭偏光谱法对掺杂影响的测量不再有效.本研究将测量波段扩展到红外区域(2—20μm),报道了利用红外椭偏光谱法测量经离子注入掺杂并高温退火的硅片掺杂层光学和电学性质的方法和结果.通过建立基于Drude自由载流子吸收的等效光学模型,得到了杂质激活后掺杂层的杂质浓度分布、电阻率和载流子迁移率等电学参数,以及掺杂层的红外光学常数色散关系,分析了这些参数随注入剂量的关系并对其物理机理给予了解释.研究表明,中远红外椭偏测量是表征退火硅片的有效方法,且测量波长越长,所能分辨的掺杂浓度越低.
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.ioe.ac.cn/handle/181551/6200
Collection自适应光学技术研究室(八室)
Corresponding Author白福忠
Affiliation中国科学院光电技术研究所
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GB/T 7714
白福忠,饶长辉. 针孔直径对自参考干涉波前传感器测量精度的影响[J]. 物理学报,2010(3):1632-1637.
APA 白福忠,&饶长辉.(2010).针孔直径对自参考干涉波前传感器测量精度的影响.物理学报(3),1632-1637.
MLA 白福忠,et al."针孔直径对自参考干涉波前传感器测量精度的影响".物理学报 .3(2010):1632-1637.
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