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题名:
基于锁定放大原理的投影光刻检焦技术研究
作者: 谢飞
学位类别: 硕士
答辩日期: 2011-05
授予单位: 中国科学院研究生院
授予地点: 北京
导师: 唐 小 萍
关键词: 光学投影光刻 ; 焦深 ; 检焦技术 ; 离焦量 ; 锁定放大法
学位专业: 物理电子学
中文摘要: 近年来,随着光刻技术的不断进步,高密度、高速度和超高频器件层出不穷,
使得集成电路的集成度越做越高,促使微电子技术迅速发展,并带动了计算机、
网络技术、移动通信技术、多媒体传播为代表的信息技术飞速发展。按照摩尔定
律,单位面积硅片上的晶体管集成度以每18 个月翻一番的速度增长,而这直接依
赖光刻技术的发展水平。
在微电子技术发展过程中,由于光学投影光刻技术具有成熟的光刻工艺和巨
大的产业背景,它一直是大规模生产中最关键的工艺技术。随着光学投影光刻分
辨力不断提高,焦深急剧减小,从而对光刻设备的调焦精度提出了更高要求。检
焦技术属于调焦技术中的关键技术,检焦精度直接决定了调焦精度。只有提升检
焦精度,才能促使调焦技术的进一步提高。本文旨在研究探索适合于投影光刻设
备的检焦技术,努力提高检焦分辨率,以适应在更小的焦深条件下进行调焦。
针对光学投影光刻检焦技术,本文主要对检焦系统信号处理部分进行了研究,
着重研究含有硅片离焦量信息的检焦电信号的提取方法。检焦系统中光电探测器
输出的检焦电信号属于微弱信号,需要选择一种适合于该系统的微弱信号检测方
法。本文主要研究了锁定放大法在投影光刻检焦中的应用,分析了锁定放大法在
其中应用的可行性,对该方法进行了建模及仿真,并利用单相模拟锁定放大法对
检焦电信号进行了放大、滤波、调制解调等,得到了我们关心的含有硅片离焦量
信息的检焦电信号的直流分量和交流分量,并结合检焦其他参数,进行了离焦量
的计算。与此同时,本文探索性地研究了双相模拟锁定放大法在投影光刻检焦系
统中应用的前景,并对其进行了仿真验证。最终,通过仿真和实验调试结果,说
明了锁定放大法可以达到纳米量级的检焦精度,并为今后应用于纳米光刻检焦系
统奠定了基础。
语种: 中文
内容类型: 学位论文
URI标识: http://ir.ioe.ac.cn/handle/181551/573
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谢飞. 基于锁定放大原理的投影光刻检焦技术研究[D]. 北京. 中国科学院研究生院. 2011.
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