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题名:
SiPM阵列电子特性建模和三维测深仪前端电子学优化
作者: 聂瑞杰; 徐智勇; 张启衡; 王华闯; 程华
刊名: 光学精密工程
出版日期: 2012
卷号: 20, 期号:8, 页码:1661-1668
关键词: 硅光电倍增管(SiPM) ; 微等离子体 ; 电子行为模型 ; 三维测深仪 ; 前置放大电路 ; 最优设计
通讯作者: 聂瑞杰
文章类型: 期刊论文
中文摘要: 从硅光电倍增管(SiPM)单个微元的微等离子体电子行为模型出发,分析了SiPM的电子特性,提出了SiPM前端电子学最优设计方案。阐述了SiPM的工作机理,给出了SiPM的电子行为模型,分析了SiPM应用于水下三维测深的优势。根据水下测深信号的回波特性,设计了高速、高带宽的前置放大器,并对前置放大器进行了交流分析和瞬态分析。结果表明,该前置放大电路在带宽内具有很高的增益平坦度,相位裕度大于60°,基本保证了信号的完整性,同时保持了激光脉冲的波形。分析和测试结果表明,该探测器和电路设计方案完全能够满足水下三维测深的需要。
收录类别: Ei
项目资助者: 中科院科技创新基金资助项目(No.A08K001)
语种: 中文
内容类型: 期刊论文
URI标识: http://ir.ioe.ac.cn/handle/181551/5056
Appears in Collections:光电探测与信号处理研究室(五室)_期刊论文

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2012-1113.pdf(1836KB)期刊论文作者接受稿开放获取View 联系获取全文

作者单位: 1.中国科学院光电技术研究所
2.中国科学院研究生院

Recommended Citation:
聂瑞杰,徐智勇,张启衡,等. SiPM阵列电子特性建模和三维测深仪前端电子学优化[J]. 光学精密工程,2012,20(8):1661-1668.
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