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题名:
高隔离度X波段RF MEMS 电容式并联开放室关
作者: 张 理 ; 姚军 ; 王大甲
刊名: 微纳电子技术
出版日期: 2008
卷号: 45, 期号:6, 页码:342-346
学科分类: 微细加工技术
文章类型: 期刊论文
中文摘要: RF MEMS开关在隔离度、插入损耗、功耗以及线性度等方面,具有比FET或pin二极管传统微波固态开关无法比拟的优势,从而获得了广泛的关注,并显示出在微波应用领域的巨大潜力。自1979年K.E.Petersen第一次报道RF MEMS开关的应用以来,业界已研制出很多不同结构的RF MEMS开关。无论是在隔离度还是在插入损耗上,RFMEMS电容式并联开关在Ka到W波段都表现出了良好的性能。但是,RF MEMS电容式开关在低频段的较低隔离度限制了其在X波段的应用。为克服以上不足,J.B.Muldavin等人提出了在开关梁与地平面之间加入高阻抗传输线,通过该传输线引入的串联电感使LC谐振频率达到X波段范围,并获得了在X波段隔离度优于-20 dB的性能。J.Y.Park等人设计的RF MEMS电容式并联开关使用介电常数为30~120的SrTiO3作为介质层,通过增加开关闭态的电容值使开关在10GHz处的隔离度优于-30 dB。M.Tang等人把CPW下电极放置在由KOH刻蚀、深度为1.6μm的衬底盆状槽中,获得了10~13 GHz频率下,单个开关隔离度为-16.5~-28 dB,两个开关级联的隔离度为-25~-35 dB。
收录类别: 其他
语种: 中文
ISSN号: 1671-4776
内容类型: 期刊论文
URI标识: http://ir.ioe.ac.cn/handle/181551/2062
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张 理,姚军,王大甲. 高隔离度X波段RF MEMS 电容式并联开放室关[J]. 微纳电子技术,2008,45(6):342-346.
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