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题名:
氧分压对HfO_2薄膜残余应力的影响及有限元分析
作者: 张丽莎 ; 许鸿
刊名: 强激光与粒子束
出版日期: 2008
卷号: 20, 期号:6, 页码:894-898
学科分类: 自适应光学
文章类型: 期刊论文
中文摘要: 利用电子束蒸发法制备了单层HfO2膜,控制氧气流量从0 mL/min以步长5 mL/min递增至25 mL/min(标况下)。利用ZYGO干涉仪测量基片镀膜前后的面形变化,代入Stoney公式计算出残余应力,分析了不同氧压下残余应力的变化情况。随着氧压的增大,残余应力由张应力逐渐过渡到压应力,当氧压过大时,压应力减小。因此可以通过改变氧压来控制应力。应力的变化与薄膜的微观结构密切相关,分析了所有样品的X射线衍射图(XRD),发现均为非晶结构。利用Ansys建立基片-薄膜有限元模型,将应力作用下基片的形变与实验结果进行对比,验证所建立的模型,为分析HfO2/SiO2膜堆应力的匹配设计提供参考。
收录类别: Ei
语种: 中文
ISSN号: 1001-4322
内容类型: 期刊论文
URI标识: http://ir.ioe.ac.cn/handle/181551/2010
Appears in Collections:自适应光学技术研究室(八室)_期刊论文

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张丽莎,许鸿. 氧分压对HfO_2薄膜残余应力的影响及有限元分析[J]. 强激光与粒子束,2008,20(6):894-898.
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