IOE OpenIR  > 微电子装备总体研究室(四室)
传统光学光刻的极限及下一代光刻技术
蒋文波; 胡松
Source Publication微纳电子技术
Volume45Issue:6Pages:361-365+369
2008
Language中文
ISSN1671-4776
Indexed By其他
Subtype期刊论文
Abstract分析了传统光学投影光刻分辨力的物理极限,介绍了国内外各大器件和设备厂商、科研单位等为了突破这个物理极限而做出的努力;从原理、发展状况及优缺点等几个方面对比分析了下一代光刻技术,最后对未来几十年的主流光刻技术作出了展望。极紫外光刻、浸没式光刻和纳米压印光刻将作为主流技术应用到超大规模集成电路的批量生产中,电子束光刻可以在要求极高分辨力时和这几个主流技术配合使用。其他下一代光刻技术由于工艺不成熟、不能批量生产等原因,在近期还不具备占领光刻设备市场主流的能力。
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.ioe.ac.cn/handle/181551/1920
Collection微电子装备总体研究室(四室)
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GB/T 7714
蒋文波,胡松. 传统光学光刻的极限及下一代光刻技术[J]. 微纳电子技术,2008,45(6):361-365+369.
APA 蒋文波,&胡松.(2008).传统光学光刻的极限及下一代光刻技术.微纳电子技术,45(6),361-365+369.
MLA 蒋文波,et al."传统光学光刻的极限及下一代光刻技术".微纳电子技术 45.6(2008):361-365+369.
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